Produkty IT i elektronika użytkowa do sprzedaży hurtowej
Kod ELKO
1436220
Samsung MZ-VAP4T0. Pojemność pamięci SSD: 4 TB, Rozmiar kieszeni dysku SSD: M.2, Prędkość odczytu z nośnika: 14800 MB/s, Prędkość zapisu nośnika: 13400 MB/s, Przeznaczenie: PC/konsola do gier
Specyfikacja
Cechy
Interfejs
PCI Express 5.0
Łącze PCI Express
x4
Losowy odczyt (4KB)
2200000 IOPS
Losowy zapis (4KB)
2600000 IOPS
MTBF (Średni okres międzyawaryjny)
1500000 h
NVMe
Tak
NVMe wersja
2.0
Obsługa DevSlp (uśpienia urządzenia)
Tak
Obsługa S.M.A.R.T.
Tak
Pojemność pamięci SSD
4000 GB
Prędkość odczytu z nośnika
14800 MB/s
Prędkość zapisu nośnika
13400 MB/s
Przeznaczenie
PC/konsola do gier
Rozmiar dysku SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Rozmiar kieszeni dysku SSD
M.2
Szyfrowanie / bezpieczeństwo
256-bit AES
Szyfrowanie sprzętu
Tak
Typ pamięci
V-NAND TLC
Wsparcie TRIM
Tak
Moc
Napięcie pracy
3.3 V
Pobór mocy (bezczynny)
0.007 W
Pobór mocy (odczyt)
9 W
Pobór mocy (zapis)
8.2 W
Średni pobór mocy (odczyt)
9 W
Średni pobór mocy (zapis)
8.2 W
Zużycie energii DevSlp (uśpienia urządzenia)
5.7 mW
Waga i rozmiary
Głębokość produktu
2.38 mm
Szerokość produktu
80.15 mm
Waga produktu
9 g
Wysokość produktu
80.15 mm
Dane opakowania
Głębokość opakowania
98 mm
Rodzaj opakowania
Pudełko
Szerokość opakowania
143 mm
Waga wraz z opakowaniem
65 g
Wysokość opakowania
22 mm
Warunki pracy
Wstrząsy podczas pracy
1500 G
Zakres temperatur (eksploatacja)
0 - 70 °C
Okres gwarancji
5 lat(a)
DDR3 1600/1333/1066/800
MZ-VAP4T0BW
Seria SSD
9100 PRO

Breakthrough PCIe® 5.0 performance
Push PCIe® 5.0 performance to the max. 9100 PRO achieves lightning-fast sequential read/write speeds up to 14,800/13,400 MB/s, two times faster than 990 PRO. Leave Gen4 limits behind with random read/write speeds up to 2,200K/2,600K IOPS, only possible by Gen5.

Impressive processing power
Speed past productivity limits. Exhilarating random read/write speeds enable ultra-fast parallel processing for countless fragmented data, at up to 2,200K/2,600K IOPS. Experience superior output and instant loads for huge games, high-performance tasks, and even AI applications.

Rapid AI creation
Intelligence redefines performance. Defy your limits in work and play with an on-board AI PC and AI content generation, fuelled by 9100 PROs exhilarating random read/write speeds up to 2,200K/2,600K IOPS. Swift loads, smooth gameplay, seamless performance.

Exceptional performance at your fingertips
Elevate your competitive edge. Breeze through video editing, 3D art, and even long streaming sessions with the latest PCIe® 5.0 interfaces. Experience cutting-edge performance anytime, anywhere, on any device, and choose the storage you need with expansive capacity up to 8TB.

Extraordinary thermal efficiency
Peak performance, uninterrupted. The advanced 5nm controller power architecture enhances power efficiency up to 49% over 990 PRO. Exceptional thermal control ensures nothing disrupts your flow, so you can keep the most demanding programs running with the max possible power of PCIe® 5.0.

Samsung Magician software
Make your SSD work like magic. Samsung Magician software's optimisation tools ensure the best SSD performance. It's a safe and easy way to migrate all your data for a Samsung SSD upgrade. Protect valuable data, monitor drive health, and get the latest firmware updates.

Bringing innovations to life
For decades, Samsungs NAND flash memory has powered groundbreaking technologies that have changed every part of our daily lives. This NAND flash technology also powers our consumer SSDs, making room for the next big push of innovation.

PCIe® 5.0 Performance
Max 14,800/13,400 MB/s sequential speeds,two times faster than 990 PRO.

Advance your gameplay
Mega capacity with exceptional compatibility.

Innovative Power & Thermal Control
Up to 49% enhanced power efficiency with advanced thermal control.

  • Samsung NVMe SSD powered by V-NAND technology
  • Up to 14,800 MB/s sequential read and 13,400 MB/s write speed
  • Upto 2,200K IOPS random read and 2,600K IOPS random write speed

Dostępność produktu może się różnić w poszczególnych regionach dystrybucji ELKO.